Strain mapping in an InGaN/GaN nanowire using a nano-focused x-ray beam
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
Originalsprog | Engelsk |
---|---|
Artikelnummer | 103101 |
Tidsskrift | Applied Physics Letters |
Vol/bind | 107 |
Udgave nummer | 10 |
Antal sider | 5 |
ISSN | 0003-6951 |
DOI | |
Status | Udgivet - 7 sep. 2015 |
ID: 146288265